Oжидaeтся, чтo oдним из пeрвыx устрoйств нa бaзe Snapdragon 835 станет Samsung Galaxy S8.
До этого рекордсменом был Apple A10 Fusion в iPhone 7 Plus с 172 644 баллами. В прошлом месяце компании Samsung и Qualcomm представили флагманский процессор Snapdragon 835, выполненный по 10-нм техпроцессу. На днях неизвестное устройств на базе данного чипсета прошло тестирование в бенчмарке GFXBench, благодаря чему стало известно, что данный чип имеет восемь ядер Kryo, работающих на частоте 2,2 ГГц, и графический ускоритель Adreno 540. Теперь же Snapdragon 835 был замечен в базе данных бенчмарка AnTuTu, где чип установил новый рекорд, набрав 181 434 балла.
Источник: phonearena.com
Во время презентации Snapdragon 835 компания Qualcomm заявила, что в новом процессоре производительность была увеличена на 27%, а потребление энергии — снижено на 40% по сравнению с предыдущим флагманским чипсетом Snapdragon 820.
